Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate
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Beschreibung
Produktdetails
For investigation of diffusion barrier layers, the focus was set to diffusion of the transition metals iron, chromium and vanadium in the intermediate layer materials SiO2 and SiNx deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition. Temperatures ranging from 900C to 1350C were applied to the samples.
Zone-melting recrystallisation of silicon is an important technique to prepare large crystal grains of several millimetres width and several centimetres length on amorphous substrates. Parameter studies on SiO2-capped multicrystalline silicon wafers were done to investigate the effect of the so-called supercooled zone on crystal quality. One-side contacted solar cells were prepared on optimised layers on such model substrates. For the first time, also low-cost ribbon silicon and ceramics (SiSiC, Si3N4, SiAlON, mullite) were tested as substrate material. Cell efficiencies up to 10.5% could be obtained when using these materials.
The author: Dr. Stefan Reber studied Physics at the Technical University of Darmstadt, Germany. He joined the solar cell department of the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems for his Ph.D. thesis, where he was in charge of improving crystalline silicon thin-film solar cells on foreign substrates.
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