Feldeffekttransistoren aus nanopartikulärem Zinkoxid Halbleitende Dünnschichten aus nanopartikulären Dispersionen in Feldeffekttransistoren
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- Deutsch ausgewählt
69,90 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
14.11.2009
Verlag
Südwestdeutscher Verlag für HochschulschriftenSeitenzahl
144
Maße (L/B/H)
22/15/1 cm
Gewicht
233 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-8381-1234-3
Um druckbare elektrische Schaltungen herzustellen, wird ein flüssiges Ausgangsmaterial benötigt, das bei niedrigen Temperaturen zu halbleitenden Dünnschichten verarbeitet werden kann. Als ein möglicher Kandidat gelten anorganische nanopartikuläre Dispersionen, da sie die Vorteile anorganischer Halbleiter, wie atmosphärische Stabilität und hohe Ladungsträgerbeweglichkeit, mit günstigen Produktionsverfahren der Drucktechnik verbinden. Es wurden ZnO Nanopartikel in einem Modellprozess zu einer aktiven Halbleiterschicht in funktionsfähigen FETs verarbeitet. Als wesentliche Eigenschaften, welche die Schaltgeschwindigkeit und das An-/Aus-Verhältnis der Transistoren bestimmen, wurden Grenzschichtrauheit, interpartikulärer Widerstand und ZnO Oberflächendefekte identifiziert und gezielt verändert, um deren Beeinflussung über den Herstellungsprozess zu studieren. In diesem Zusammenhang konnte gezeigt werden, dass ein organischer Stabilisator und sein Anteil in der Dispersion und in der Dünnschicht, die relevanten Eigenschaften des FET hauptsächlich verändert und überdies die thermische Ladungsträgerkonzentration in der Dünnschicht verringern kann.
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