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Produktbild: Bauelemente der Halbleiterelektronik
Band 3

Bauelemente der Halbleiterelektronik Teil 1 Grundlagen, Dioden und Transistoren

Aus der Reihe Leitfaden der Elektrotechnik

54,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.04.1976

Abbildungen

XII, mit 251 Abbildungen

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

236

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,4 cm

Gewicht

388 g

Auflage

1976

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-519-06418-3

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.04.1976

Abbildungen

XII, mit 251 Abbildungen

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

236

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,4 cm

Gewicht

388 g

Auflage

1976

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-519-06418-3

Herstelleradresse

Vieweg+Teubner Verlag
Abraham-Lincoln-Straße 46
65189 Wiesbaden
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Bauelemente der Halbleiterelektronik
  • 1 Physikalische Grundlagen der Stromleitung in Festkörpern.- 1.1 Atomarer Aufbau der halbleitenden Elemente.- 1.1.1 Bohrsches Atommodell.- 1.1.2 Einordnung der Halbleiter in das periodische System.- 1.2 Kristallaufbau der Halbleiter.- 1.3 Bändermodell des Festkörpers.- 1.4 Eigenleitung der Halbleiter.- 1.4.1 Inversionsdichte.- 1.4.2 Leitfähigkeit von Halbleitern.- 1.4.2.1 Leitungsmechanismus. 1.4.2.2 Berechnung der Leitfähigkeit. 1.4.2.3 Isolator, Halbleiter und Metall.- 1.5 Störstellen-Halbleitung.- 1.5.1 N-Halbleiter (Überschußleiter).- 1.5.2 P-Halbleiter (Defektleiter).- 1.5.3 Dotierungsgrad.- 2 Halbleiterdioden.- 2.1 PN-Übergang.- 2.1.1 Allgemeine Beschreibung.- 2.1.2 Berechnung der Diffusionsspannung.- 2.1.3 Bändermodell des PN-Übergangs.- 2.1.4 Berechnung der Kennlinie des PN-Übergangs.- 2.1.4.1 Berechnung der Trägerdichten am PN-Übergang. 2.1.4.2 Berechnung des Stroms.- 2.2 Diskussion der Diodenkennlinie.- 2.2.1 Durchlaßbereich.- 2.2.2 Sperrbereich.- 2.3 Temperaturabhängigkeit von Sperrstrom und Durchlaßspannung.- 2.3.1 Temperaturabhängigkeit des Sperrstroms.- 2.3.2 Temperaturabhängigkeit der Durchlaßspannung.- 2.4 Schalt- und Frequenzverhalten.- 2.4.1 Sperrschichtkapazität.- 2.4.2 Diffusionskapazität.- 2.4.3 Verhalten beim Ein- und Ausschalten der Durchlaßspannung.- 2.5 Kennwerte und Bauformen.- 2.5.1 Kennzeichnung von Halbleitern.- 2.5.2 Gehäuseformen von Dioden.- 2.6 Gleichrichterschaltungen mit Halbleiterdioden.- 2.6.1 Einsatz von Siliziumdioden als Gleichrichter.- 2.6.2 Gleichrichterschaltungen mit reiner Wirklast.- 2.6.3 Gleichrichterschaltungen mit Ladekondensator.- 3 Halbleiterdioden mit besonderen Eigenschaften.- 3.1 Z-Dioden.- 3.1.1 Wirkungsweise.- 3.1.1.1 Zener-Effekt. 3.1.1.2 Lawineneffekt.- 3.1.2 Kennlinie.- 3.1.3 Bauformen, Kennzeichnung und Eigenschaften.- 3.1.4 Anwendungen.- 3.1.4.1 Spannungsstabilisierung. 3.1.4.2 Doppelte Stabilisierung. 3.1.4.3 Spannungsbegrenzung.- 3.2 Tunnel-Dioden.- 3.2.1 Wirkungsweise.- 3.2.2 Eigenschaften.- 3.2.3 Anwendungen.- 3.2.3.1 Tunnel-Diode als Impulsgenerator. 3.2.3.2 Tunnel-Diode als Verstärker oder Oszillator hochfrequenter Wechselspannungen.- 3.3 Backward-Dioden.- 3.3.1 Wirkungsweise.- 3.3.2 Kennlinie, Bauform und Anwendung.- 3.4 Spitzen-Dioden.- 3.4.1 Eigenschaften.- 3.4.2 Anwendung.- 3.5 Hot-carrier-Dioden.- 3.5.1 Metall-Halbleiterkontakt.- 3.5.2 Eigenschaften und Aufbau.- 3.5.2.1 Kennlinie. 3.5.2.2 Ersatzschaltung. 3.5.2.3 Durchbruchsspannung und Sperrstrom. 3.5.2.4 Verlustleistung. 3.5.2.5 Technologischer und mechanischer Auf bau.- 3.5.3 Anwendungen.- 3.5.3.1 Schnelles Diodentor. 3.5.3.2 Modulation. 3.5.3.3 Kleinsignal-Detektor.- 3.6 Kapazitäts-Dioden.- 3.6.1 Wirkungsweise.- 3.6.2 Eigenschaften und Bauformen.- 3.6.3 Anwendungen.- 3.6.3.1 Abstimmung eines Schwingkreises. 3.6.3.2 Abstimmung mit einer Doppeldiode.- 3.7 Varaktor-Dioden.- 3.7.1 Wirkungsweise und Aufbau.- 3.7.2 Anwendungen.- 3.7.2.1 Frequenzvervielfacher. 3.7.2.2 Parametrischer Verstärker.- 3.8 Step-recovery-Dioden.- 3.8.1 Wirkungsweise und Aufbau.- 3.8.2 Berechnung der gespeicherten Ladung und der Speicherzeit.- 3.8.3 Statische und dynamische Kennlinien.- 3.8.4 Impulsformung.- 3.8.4.1 Impulsaufsteilung. 3.8.4.2 Rechteckimpulsgenerator. 3.8.4 3 Mehrstufige Impulsaufsteilung.- 3.8.5 Frequenzvervielfacher.- 3.8.5.1 Step-recovery-Impulsgenerator. 3.8.5.2 Resonanzkreis für die Ausgangsfrequenz. 3.8.5.3 Filter für die Ausgangsfrequenz. 3.8.5.4 Vollständiger Frequenzvervielfacher.- 3.9 PIN-Dioden.- 3.9.1 Wirkungsweise.- 3.9.2 Eigenschaften und Bauformen.- 3.9.3 Anwendungen.- 3.9.3.1 Hochfrequenzabschwächer. 3.9.3.2 Duplexschalter in Radaranlagen.- 3.10 Impatt-Dioden.- 3.10.1 Wirkungsweise.- 3.10.1.1 Qualitative Erklärung. 3.10.1.2 Genauere Berechnung.- 3.10.2 Eigenschaften und Auf bau 120 3.10.2.1 Kennlinie. 3.10.2.2 Verlustleistung.- 3.10.3 Anwendung als Mikrowellengenerator.- 3.10.3.1 Ersatzschaltung. 3.10.3.2 Schwingbedingung. 3.10.3.3 ImpattMikrowellengenerator.- 3.11 Gunn-Dioden.- 3.11.1 Wirkungsweise.- 3.11.2 Eigenschaften und Bauform.- 4 Bipolare Transistoren.- 4.1 Aufbau und Wirkungsweise.- 4.1.1 Allgemeine Beschreibung.- 4.1.2 Bändermodell des Transistors.- 4.1.3 Stromverstärkung.- 4.2 Transistorkennlinien.- 4.2.1 Ausgangskennlinienfeld.- 4.2.2 Stromverstärkungs-Kennlinienfeld.- 4.2.3 Eigangskennlinienfeld.- 4.2.4 Spannungsrückwirkungs-Kennlinienfeld.- 4.3 Darstellung der Verstärkung im Kennlinienfeld der Emitterschaltung.- 4.4 Kleinsignalverhalten.- 4.4.1 Grundschaltungen.- 4.4.2 Vierpoldarstellung.- 4.4.2.1 Hybrid-Gleichungen. 4.4.2.2 Leitwert-Gleichungen. 4.4.2.3 Widerstands-Gleichungen. 4.4.2.4 Ersatzschaltungen der Vierpolgleichungen.- 4.4.3 Umrechnung der Vierpol-Parameter.- 4.4.3.1 Umrechnung der h- und y-Parameter. 4.4.3.2 Berechnung der h- und y-Parameter der Kollektor- und der Basisschaltung aus den Parametern der Emitterschaltung.- 4.4.4 Arbeitspunktabhängigkeit der h-Parameter.- 4.4.5 Berechnung des Kleinsignal-Betriebsverhaltens mit h- und y-Parametern 153.- 4.4.5.1 Berechnung der Betriebsgrößen mit den h-Parametern — 4.4.5.2 Berechnung der Betriebsgrößen mit den y-Parametern.- 4.4.6 Kleinsignal-Betriebsverhalten der Emitterschaltung.- 4.4.7 Kleinsignal-Betriebsverhalten der Kollektorschaltung.- 4.4.8 Kleinsignal-Betriebsverhalten der Basisschaltung.- 4.4.9 Kopplung von Verstärkerstufen.- 4.5 Temperaturverhalten.- 4.5.1 Restströme und ihre Temperaturabhängigkeit.- 4.5.1.1 Restströme. 4.5.1.2 Temperaturabhängigkeit der Restströme.- 4.5.2 Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitterspannung.- 4.6 Einstellung und Stabilisierung des Arbeitspunktes.- 4.6.1 Arbeitspunkteinstellung mit Basisspannungsteiler.- 4.6.2 Arbeitspunkteinstellung mit Basisvorwiderstand.- 4.6.3 Arbeitspunktstabilisierung durch Gleichstromgegenkopplung.- 4.7 Kühlung.- 4.7.1 Thermischer Widerstand.- 4.7.2 Berechnung des thermischen Widerstands eines Kühlblechs.- 4.8 Durchbruchverhalten.- 4.8.1 Basis-Emitter-Sperrspannung.- 4.8.2 Kollektor-Basis-Sperrspannung.- 4.8.3 Kollektor-Emitter-Sperrspannung.- 4.8.4 Fallende Ausgangskennlinien.- 4.8.5 Durchbruch 2. Art.- 4.8.5.1 Durchbruch 2. Art bei leitender Basis-Emitterdiode. 4.8.5.2 Durchbruch 2. Art bei gesperrter Basis-Emitterdiode.- 4.8.6 Absolute Grenzwerte von Kollektorstrom und Kollektor-Emitterspannung.- 4.8.7 Impulsbelastung.- 4.9 Frequenzverhalten.- 4.9.1 T-Ersatzschaltung.- 4.9.2 Grenzfrequenz der Stromverstärkung der Basisschaltung.- 4.9.3 Grenzfrequenz der Stromverstärkung der Emitterschaltung.- 4.9.4 Transitfrequenz.- 4.9.5 Arbeitspunktabhängigkeit der Transitfrequenz.- 4.10 Schaltverhalten.- 4.10.1 Schaltzustände im Kennlinienfeld.- 4.10.2 Schaltzeiten.- 4.10.2.1 Übergang vom gesperrten in den übersteuerten Zustand. 4.10.2.2 Übergang aus dem leitenden in den gesperrten Zustand. 4.10.2.3 Berechnung von Schaltzeiten.- 4.10.3 Verbesserung des Schaltverhaltens.- 4.10.3.1 Beschleunigungskondensatoren. 4.10.3.2 Kollektor-Fangschaltung.- 4.10.4 Schalten von kapazitiven und induktiven Lasten.- 4.10.4.1 Kapazitive Last. 4.10.4.2 Induktive Last.- 4.11 Transistorrauschen.- 4.11.1 Widerstandsrauschen.- 4.11.2 Rauschursachen bei Transistoren.- 4.11.3 Definition von Rauschzahl und Rauschmaß.- 4.11.4 Berechnung der Rauschzahl.- 4.11.5 Signal-Rauschabstand.- 4.12 Technologie und Bauformen.- 4.12.1 Legierungsverfahren.- 4.12.2 Diffusionsverfahren.- 4.12.2.1 Diffusion bei konstanter Oberflächenkonzentration. 4.12.2.2 Diffusion bei konstanter Teilchenmenge.- 4.12.3 Diffundierte Transistoren.- 4.12.3.1 Einfach diffundierter Transistor. 4.12.3.2 Zweifach diffundierter Transistor. 4.12.3.3 Dreifach diffundierter Transistor.- 4.12.4 Epitaxialverfahren.- 4.12.5 Epitaxiale Transistoren.- 4.12.5.1 Epitaxial-Base-Transistor. 4.12.5.2 Multiple-Epitaxial-BaseTransistor.- 4.12.6 Ionen-Implantation.- 4.12.7 Transistor-Topographie.- 4.12.8 Gehäuseformen.- 4.13 Weitere wichtige Grundschaltungen.- 4.13.1 Darlington-Schaltung.- 4.13.2 Komplementär-Darlington-Schaltung.- 4.13.3 Kaskode-Schaltung.- 4.13.4 Konstantstromquelle.- 1 Weiterführende Bücher und Literatur.- 2 Normblätter.- 3 Schaltzeichen.- 4 Verwendete Formelzeichen.