Erenburg, M: Trapdichte im Tunneloxid von Ge-Nanoclusterspei
-
- Deutsch ausgewählt
49,00 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
01.04.2011
Verlag
VDMSeitenzahl
96
Maße (L/B/H)
22/15/0,6 cm
Gewicht
159 g
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-639-34357-1
Im Zuge der fortlaufenden Skalierung von Halbleiterbauelementen treten bei EEPROMs Zuverlässigkeitsprobleme auf. Aufgrund von Defekten im Tunneloxid ist besonders bei dünnen Oxiden die Gefahr eines unerwünschten Tunnelns der Ladungsträger aus dem Floating Gate gegeben. Um dieses zu minimieren, sieht das Nanocluster-Konzept vor, das Floating Gate durch einzelne nanometergroße Cluster aus Silizium oder Germanium zu ersetzen. Während Germanium bessere Speichereigenschaften zugesprochen werden, hat dessen Einbau möglicherweise eine erhöhte Störstellendichte im Oxid zur Folge. Mit Hilfe der Charge-Pumping-Methode soll überprüft werden, inwiefern die Herstellung der Ge-Nanocluster einen Einfluss auf die Trapdichte ausübt. Dazu wird ein Tiefenprofil im Tunneloxid der Nanoclusterspeicher erstellt. Aus den Messdaten können mit Hilfe einfacher Modelle die Dichte der Grenzflächenzustände und der Volumentraps sowie die Tiefenverteilung der Oxidstörstellen ermittelt werden. Zur Verifikation der Messergebnisse werden zusätzliche Messungen mit der Conductance-Methode durchgeführt. Diese Untersuchungen erlauben darüber hinaus Erkenntnisse über die laterale Verteilung der Störstellen im Oxid.
Ein neues Kapitel für Ihre Bücher
Ein neues Kapitel für Ihre Bücher
Schenken Sie Ihren alten Schätzen ein zweites Leben: Einfach Barcode scannen, Versandetikett ausdrucken, Bücher verschicken und Thalia Geschenkkarte erhalten.
Jetzt verkaufenKundinnen und Kunden meinen
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kund*innen durch Ihre Meinung
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für Ihr Feedback
Wir nutzen Ihr Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte haben Sie Verständnis, dass wir Ihnen keine Rückmeldung geben können. Falls Sie Kontakt mit uns aufnehmen möchten, können Sie sich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice