Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von CMOS-Transistoren
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- Deutsch ausgewählt
89,90 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
10.06.2011
Verlag
Südwestdeutscher Verlag für HochschulschriftenSeitenzahl
216
Maße (L/B/H)
22/15/1,4 cm
Gewicht
340 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-8381-2606-7
Mit dem Erreichen der Grenzen der konventionellen MOSFET-Skalierung werden neue Techniken untersucht, um die Leistungsfähigkeit der CMOS-Technologie dem bisherigen Trend folgend weiter zu steigern. Einer dieser Ansätze ist die Verwendung mechanischer Verspannungen im Transistorkanal. Mechanische Verspannungen führen zu Kristalldeformationen und ändern die elektronische Bandstruktur von Silizium, so dass n- und p-MOSFETs mit verspannten Kanälen erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeiten und demzufolge eine gesteigerte Leistungsfähigkeit aufweisen.Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit den Auswirkungen mechanischer Verspannungen auf die elektronischen Eigenschaften planarer Silicon-On-Insulator-MOSFETs für Höchstleistungsanwendungen sowie mit deren Optimierung und technologischen Begrenzungen. Die unterschiedlichen Konzepte zur Erzeugung der Verspannung werden kurz rekapituliert. Wesentliche Parameter für eine Erhöhung der Verspannung werden mit Hilfe von Experimenten und numerischen Simulationen bestimmt und technologische Herausforderungen bei der Prozessintegration diskutiert.
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