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  • Produktbild: Technologie der III/V-Halbleiter
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Technologie der III/V-Halbleiter III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente

49,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

14.08.1997

Abbildungen

IX, mit Abbildungen 23,5 cm

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

206

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,3 cm

Gewicht

352 g

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-62804-0

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

14.08.1997

Abbildungen

IX, mit Abbildungen 23,5 cm

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

206

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,3 cm

Gewicht

352 g

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-62804-0

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

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  • Produktbild: Technologie der III/V-Halbleiter
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  • 1: Herstellung von III/V- Halbleiter-Heterostrukturen.- 0 Einleitung.- 1 Halbleiter-Materialsysteme.- 1.1 Definition des „Halbleiters“.- 1.2 Kristallstruktur der Verbindungshalbleiter.- 1.3 Halbleiterschichtsysteme.- 1.3.1 Gitterangepaßte Halbleiter-Schichtsysteme.- 1.3.2 Gitterfehlangepaßte Halbleiter-Schichtsysteme.- 1.4 Literatur.- 2 Halbleiterkristallzucht (GaAs).- 2.1 Ausgangsstoffe.- 2.2 Kristallzuchtverfahren.- 2.2.1 Kristallisation im Quarztiegel (Bridgman-Verfahren).- 2.2.2 Schutzschmelze-Verfahren (LEC).- 2.3 Herstellung der Wafer.- 2.4 Literatur.- 3 Herstellung aktiver Bauelementschichten.- 3.1 Dotierverfahren.- 3.1.1 Diffusion.- 3.1.2 Ionenimplantation.- 3.2 Epitaxie.- 3.2.1 Flüssigphasenepitaxie (LPE).- 3.2.2 Molekularstrahlepitaxie (MBE).- 3.2.2.1 Grundzüge des MBE-Wachstumsprozesses.- 3.2.2.2 Methodische Anwendungsbeispiele.- 3.2.2.3 Apparativer Aufbau der MBE-Anlage.- 3.2.3 Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE).- 3.2.3.1 Grundzüge des MOVPE-Wachstumsprozesses.- 3.2.3.2 Epitaxieparameter des MOVPE-Prozesses.- 3.2.3.3 Aufbau der Anlage.- 3.2.4 Epitaxie mit gaseförmigen Quellen im UHV.- 3.3 Literatur.- 4 Material-Charakterisierung von Halbleiter-Heterostrukturen.- 4.1 Photolumineszenz.- 4.1.1 Theoretische Grundlagen.- 4.1.2 Meßaufbau.- 4.1.3 Anwendungsbeispiele.- 4.1.3.1 Undotiertes GaAs.- 4.1.3.2 Undotiertes AIxGa1-xAs.- 4.1.3.3 Dotierte Halbleiter.- 4.1.3.4 Quantenbrunnen.- 4.2 Röntgenbeugung.- 4.2.1 Theoretische Grundlagen.- 4.2.2 Meßautbau.- 4.2.3 Anwendungsbeispiele.- 4.2.3.1 Gitterfehlanpassung.- 4.2.3.2 Chemische Zusammensetzung.- 4.2.3.3 Periodenlänge eines Übergitters.- 4.2.3.4 Epitaxieschichtdicke.- 4.2.3.5 Überordnung in ternären Mischkristallhalbleitern.- 4.3 Literatur.- 2: Technologie elektronischer Höchstfrequenz-Bauelemente.- 5 Abscheidung und Charakterisierung dielektrischer Schichten.- 5.1 Materialien für dielektrische Schichten.- 5.2 Verfahren zur Deposition auf III/V-Halbleitern.- 5.2.1 Kathodenzerstäubung (Sputtern).- 5.2.2 Plasma-unterstützte Chemische Gasphasendeposition.- 5.3 Charakterisierung von SiNx.- 5.3.1 Elektrische Charakterisierung.- 5.3.2 Ellipsometrie.- 5.3.2.1 Amplitudenreflexionsfaktor als Funktion der Schichtdaten.- 5.3.2.2 Meßtechnische Erfassung des Amplituden-reflexionsfaktors ?.- 5.4 Literatur.- 6 Bauelementtechnologie.- 6.1 Laterale Strukturierung.- 6.1.1 Photonische Lithographie.- 6.1.1.1 Optische Lithographie.- 6.1.1.2 Röntgenstrahllithographie.- 6.1.2 Direkt-Schreibverfahren.- 6.1.2.1 Elektronenstrahllithographie.- 6.1.2.2 Fokussierte Ionenstrahllithographie.- 6.1.3 Abbildungen im Fotolack.- 6.2 Vertikale Strukturierung (Ätztechnik).- 6.2.1 Naßchemische Ätzverfahren.- 6.2.2 Trockenätzverfahren.- 6.3 Metallisierungen.- 6.3.1 Herstellung von Metallisierungen.- 6.3.1.1 Aufdampftechnik.- 6.3.1.2 Kathodenzerstäubung (Sputtertechnik).- 6.3.1.3 Galvanik.- 6.3.2 Strukturierung von Metallen.- 6.3.2.1 Ätztechnik.- 6.3.2.2 Abhebetechnik (Lift-Off).- 6.3.2.3 Fotolack-geführtes Galvanisieren (Luftbrücken).- 6.3.3 Kontakttechnologie.- 6.3.3.1 Sperrende (Schottky-) Kontakte.- 6.3.3.2 Leitende (Ohmsche-) Metall-Halbleiterkontakte.- 6.4 Literatur.- 7 Umweltschutz und Arbeitssicherheit.- 7.1 Gefährliche Stoffe.- 7.2 Detektion gefährlicher Stoffe.- 7.3 Arbeitsschutz.- 7.4 Emissionsschutz.- 7.5 Versorgung, Lagerung, Entsorgung.- 7.6 Literatur.- Übungsaufgaben.- Liste der verwendeten Formelzeichen.- Druck-Umrechnungstabelle.- Naturkonstanten.- Stichwortverzeichnis.