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  • Produktbild: GaAs-Feldeffekttransistoren
  • Produktbild: GaAs-Feldeffekttransistoren
Band 16

GaAs-Feldeffekttransistoren

Aus der Reihe Halbleiter-Elektronik

54,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.12.1988

Abbildungen

283 S.

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

283

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,6 cm

Gewicht

441 g

Auflage

2. Auflage 1989

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-50193-0

Beschreibung

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.12.1988

Abbildungen

283 S.

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

283

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,6 cm

Gewicht

441 g

Auflage

2. Auflage 1989

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-50193-0

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: GaAs-Feldeffekttransistoren
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  • 1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.2 Rauschen.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.