Vor Ort
Merkzettel Warenkorb
  • Produktbild: GaAs-Feldeffekttransistoren
  • Produktbild: GaAs-Feldeffekttransistoren
Band 16

GaAs-Feldeffekttransistoren

Aus der Reihe Halbleiter-Elektronik

54,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.12.1988

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

283

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,6 cm

Gewicht

441 g

Auflage

2. Auflage 1989

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-50193-0

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.12.1988

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

283

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,6 cm

Gewicht

441 g

Auflage

2. Auflage 1989

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-50193-0

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: GPSR Kontakt

Ein neues Kapitel für Ihre Bücher

Ein neues Kapitel für Ihre Bücher

Schenken Sie Ihren alten Schätzen ein zweites Leben und erhalten dafür eine Thalia Geschenkkarte.

Jetzt verkaufen
Jetzt verkaufen

Noch keine Bewertungen vorhanden

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.

Kundinnen und Kunden meinen

Bewertungen (0)

Weitere Artikel finden Sie in
  • Produktbild: GaAs-Feldeffekttransistoren
  • Produktbild: GaAs-Feldeffekttransistoren
  • 1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.3.1 Austrittsarbeit und Elektronenaffinität.- 2.3.2 Metall-Halbleiter-Kontakt.- 2.3.3 Oberflächenzustände und Barrierenhöhe.- 2.3.3.1 Halbleiter mit hoher Oberflächenzustandsdichte.- 2.3.3.2 Halbleiter mit geringer Oberflächenzustandsdichte.- 2.3.4 Stromtransport im Metall-Halbleiter-Kontakt.- 2.3.4.1 Majoritätsträgerstrom.- 2.3.4.2 Minoritätsträgerstrom.- 2.3.5 Die Kapazität des Metall-Halbleiter-Kontakts.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.4.1 Diffusionsspannung des abrupten p+n-Übergangs.- 2.4.2 Strom-Spannungs-Charakteristik.- 2.4.3 Einfluß von Generation und Rekombination in der Raumladungszone.- 2.4.4 Diffusionskapazität.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 2.5.1 Die ideale MIS-Struktur.- 2.5.2 Einfluß von Austrittsarbeit des Metalls, von Ladungen im Isolator und von Oberflächenzuständen auf die MIS-Charakteristik.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.2.1 Die “gradual channel”-Näherung.- 3.2.2 Der Einsatz der Sättigung.- 3.2.3 Sättigungsbereich.- 3.2.4 Vereinfachtes Modell.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.3.1 Normally-on-MISFET.- 3.3.2 Normally-off-MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.1.1 Ersatzschaltbild.- 4.1.2 Steilheit gm.- 4.1.3 Drainwiderstand des inneren FET rd.- 4.1.4 Innenwiderstand ri.- 4.1.5 Source-Gate-Kapazität Csg.- 4.1.6 Gate-Drain-Kapazität Cgd.- 4.1.7 Source-Drain-Kapazität Csd.- 4.1.8 Sourcewiderstand Rs und Drainwiderstand Rd.- 4.1.9 Gatewiderstand.- 4.2 Rauschen.- 4.2.1 Das Rausch-Ersatzschaltbild und die minimale Rauschzahl des inneren FET.- 4.2.2 Drainrauschen (innerer FET).- 4.2.2.1 Kanalteil I.- 4.2.2.2 Kanalteil II.- 4.2.3 Gaterauschen (innerer FET).- 4.2.3.1 Kanalteil I.- 4.2.3.2 Kanalteil II.- 4.2.4 Korrelationskoeffizient zwischen Gate- und Drainrauschen.- 4.2.5 Rauschzahl des FET mit parasitären Widerständen.- 4.2.6 Minimale Rauschzahl.- 4.2.7 Empirische Beziehungen für Fmin.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 4.4.1 Kenngrößen des Leistungs-FET.- 4.4.2 Struktur des Leistungs-FET.- 4.4.3 Anpassung.- 4.4.4 Leistungs-FET: Stand 1988.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.2.1 Gasphasenepitaxie.- 5.2.2 Ionenimplantation.- 5.2.3 Chrom-Umverteilung.- 5.2.4 Profile von n-Typ-Dotierstoffen.- 5.2.5 Anwendung der Ionenimplantation bei der Herstellung des FET.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 5.3.1 Schichtstrukturierung.- 5.3.2 Kontaktherstellung.- 5.3.3 Passivierung.- 5.3.4 Struktur und geometrische Daten eines Kleinsignal-FET.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.1.1 Tiefe Störstellen.- 6.1.2 Burnout.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.2.1 Schottky-Kontakt.- 6.2.2 Ohmscher Kontakt.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 7.2.1 Übergitterstrukturen.- 7.2.2 MESFET mit zweidimensionalem Elektronengas (HEMT: high electron mobility transistor).- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.