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Band 16

GaAs-Feldeffekttransistoren

Aus der Reihe Halbleiter-Elektronik

54,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.12.1988

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

283

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,6 cm

Gewicht

462 g

Auflage

2. Auflage 1989

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-50193-0

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.12.1988

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

283

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,6 cm

Gewicht

462 g

Auflage

2. Auflage 1989

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-50193-0

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • 1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.3.1 Austrittsarbeit und Elektronenaffinität.- 2.3.2 Metall-Halbleiter-Kontakt.- 2.3.3 Oberflächenzustände und Barrierenhöhe.- 2.3.3.1 Halbleiter mit hoher Oberflächenzustandsdichte.- 2.3.3.2 Halbleiter mit geringer Oberflächenzustandsdichte.- 2.3.4 Stromtransport im Metall-Halbleiter-Kontakt.- 2.3.4.1 Majoritätsträgerstrom.- 2.3.4.2 Minoritätsträgerstrom.- 2.3.5 Die Kapazität des Metall-Halbleiter-Kontakts.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.4.1 Diffusionsspannung des abrupten p+n-Übergangs.- 2.4.2 Strom-Spannungs-Charakteristik.- 2.4.3 Einfluß von Generation und Rekombination in der Raumladungszone.- 2.4.4 Diffusionskapazität.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 2.5.1 Die ideale MIS-Struktur.- 2.5.2 Einfluß von Austrittsarbeit des Metalls, von Ladungen im Isolator und von Oberflächenzuständen auf die MIS-Charakteristik.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.2.1 Die “gradual channel”-Näherung.- 3.2.2 Der Einsatz der Sättigung.- 3.2.3 Sättigungsbereich.- 3.2.4 Vereinfachtes Modell.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.3.1 Normally-on-MISFET.- 3.3.2 Normally-off-MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.1.1 Ersatzschaltbild.- 4.1.2 Steilheit gm.- 4.1.3 Drainwiderstand des inneren FET rd.- 4.1.4 Innenwiderstand ri.- 4.1.5 Source-Gate-Kapazität Csg.- 4.1.6 Gate-Drain-Kapazität Cgd.- 4.1.7 Source-Drain-Kapazität Csd.- 4.1.8 Sourcewiderstand Rs und Drainwiderstand Rd.- 4.1.9 Gatewiderstand.- 4.2 Rauschen.- 4.2.1 Das Rausch-Ersatzschaltbild und die minimale Rauschzahl des inneren FET.- 4.2.2 Drainrauschen (innerer FET).- 4.2.2.1 Kanalteil I.- 4.2.2.2 Kanalteil II.- 4.2.3 Gaterauschen (innerer FET).- 4.2.3.1 Kanalteil I.- 4.2.3.2 Kanalteil II.- 4.2.4 Korrelationskoeffizient zwischen Gate- und Drainrauschen.- 4.2.5 Rauschzahl des FET mit parasitären Widerständen.- 4.2.6 Minimale Rauschzahl.- 4.2.7 Empirische Beziehungen für Fmin.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 4.4.1 Kenngrößen des Leistungs-FET.- 4.4.2 Struktur des Leistungs-FET.- 4.4.3 Anpassung.- 4.4.4 Leistungs-FET: Stand 1988.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.2.1 Gasphasenepitaxie.- 5.2.2 Ionenimplantation.- 5.2.3 Chrom-Umverteilung.- 5.2.4 Profile von n-Typ-Dotierstoffen.- 5.2.5 Anwendung der Ionenimplantation bei der Herstellung des FET.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 5.3.1 Schichtstrukturierung.- 5.3.2 Kontaktherstellung.- 5.3.3 Passivierung.- 5.3.4 Struktur und geometrische Daten eines Kleinsignal-FET.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.1.1 Tiefe Störstellen.- 6.1.2 Burnout.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.2.1 Schottky-Kontakt.- 6.2.2 Ohmscher Kontakt.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 7.2.1 Übergitterstrukturen.- 7.2.2 MESFET mit zweidimensionalem Elektronengas (HEMT: high electron mobility transistor).- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.