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Band 7

Feldeffekttransistoren

Aus der Reihe Halbleiter-Elektronik

54,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.01.1973

Abbildungen

mit 5 Abbildungen, schwarz-weiss Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

246

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,4 cm

Gewicht

450 g

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-06377-3

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.01.1973

Abbildungen

mit 5 Abbildungen, schwarz-weiss Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

246

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,4 cm

Gewicht

450 g

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-06377-3

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • 1. Übersicht über die verschiedenen Arten von Feldeffekttransistoren.- 1.1. Einführung.- 1.2. Feldeffekttransistoren mit Steuerung über gesperrte Diode.- 1.3. Feldeffekttransistoren mit Steuerung über isolierende Schicht.- 1.4. Feldeffekttransistoren in Dünnfilmtechnik.- 1.5. Sonderformen von Feldeffekttransistoren.- 2. Grundstrukturen und ihre Wirkungsweise.- 2.1. IGFET.- 2.1.1. Statische Kennlinien.- 2.1.2. Wechselstromverhalten.- 2.2. NIGFET.- 2.2.1. Statische Kennlinien.- 2.2.2. Wechselstromverhalten.- 2.3. Tetroden.- 2.4. Feldeffekttransistoren mit Raumladungsbegrenzung.- 2.5. Dünnfilmtransistoren.- 3. Verfeinerte Theorie.- 3.1. Berücksichtigung der Substratladung beim IGFET.- 3.2. Berücksichtigung der Substratladung beim NIGFET.- 3.3. Dünnfilmtransistoren mit gegenüber der Isolatorschicht dicken Leitschichten.- 3.4. Einfluß von Zuleitungswiderständen.- 3.5. Substratsteuerung.- 3.6. Kanalladung und Kapazitäten.- 3.6.1. IGFET.- 3.6.2. NIGFET.- 3.7. Driftsättigung und Sättigungsbereich.- 3.7.1. IGFET.- 3.7.1.1. Statische Eigenschaften.- 3.7.1.2. Dynamische Eigenschaften.- 3.7.1.3. Sättigungsbereich.- 3.7.2. NIGFET.- 3.7.2.1. Statische Eigenschaften.- 3.7.2.2. Dynamische Eigenschaften.- 3.7.2.3. Sättigungsbereich.- 4. Eigenschaften der Steuerstrecke.- 4.1. Halbleiteroberfläche.- 4.2. Isolatorbedeckte Halbleiteroberfläche.- 4.3. MIS-Kontakt.- 4.3.1. Kapazitätsverhalten.- 4.3.2. Mehrfachdielektrikum.- 4.4. Metalloberfläche.- 4.5. Metall-Halbleiter-Kontakt.- 4.5.1. Elektrostatische Behandlung.- 4.6. MeS-Steuerstrecke.- 4.7. pn-Kontakt.- 4.8. Steuerstrecke als RC-Leitung.- 5. Computerlösungen.- 5.1. Digitalsimulation.- 5.2. Analogsimulation.- 6. Schaltungseigenschaften.- 6.1. Arbeitspunkt.- 6.2. Verzerrungen.- 6.3. Grund- und Verbundschaltungen.- 6.4. Hochfrequenzverhalten.- 6.4.1. Frequenzgang und obere Frequenzgrenze.- 6.5. Schaltverhalten.- 6.6. Digitalkopplungen.- 7. Stabilität und Temperaturverhalten.- 7.1. Alterungs- und Drifteffekte.- 7.2. Strahlungsempfindlichkeit.- 7.3. Temperaturverhalten.- 8. Rauschen.- 9. Anwendungen der verschiedenen FET-Arten.