Produktbild: Arbeitsspeicher für Digitalrechner

Arbeitsspeicher für Digitalrechner

Aus der Reihe Hochschultext

54,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

27.01.1975

Abbildungen

VIII, mit 21 Abbildungen, schwarz-weiss Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

168

Maße (L/B/H)

24,4/17/1,1 cm

Gewicht

310 g

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-06928-7

Beschreibung

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

27.01.1975

Abbildungen

VIII, mit 21 Abbildungen, schwarz-weiss Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

168

Maße (L/B/H)

24,4/17/1,1 cm

Gewicht

310 g

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-06928-7

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • 1. Überblick.- 1.1 Einleitung und Abgrenzung.- 1.2 Leistungsparameter und Kenngrößen von Speichern.- 1.3 Kenngrößen von Speicherelementen.- 1.4 Schrifttum zu Abschnitt 1.- 2. Ferritkernspeicher.- 2.1 Einleitung.- 2.2 Magnetische Größen und Erscheinungen.- 2.3 Der Ferritkern als Speicherelement.- 2.4 Organisation von Ferritkernspeichern.- 2.4.1 2D-Speicher.- 2.4.2 3D-Speicher.- 2.4.3 2 1/2D-Speicher.- 2.5 Sonderformen von Ferritspeicherelementen.- 2.5.1 Biax-Speicher.- 2.5.2 Das Verfahren mit zwei Kernen pro Bit.- 2.5.3 Flute-Speicher.- 2.5.4 Laminated ferrites (Schichtplattenspeicher).- 2.6 Schrifttum zu Abschnitt 2.- 3. Magnetschichtspeicher.- 3.1 Die ebene Magnetschicht als Speicherelement.- 3.2 Spezielle Probleme des Magnetschichtspeichers.- 3.3 Sonderformen von Magnetschichtspeichern.- 3.3.1 Gekoppelte Filme.- 3.3.2 Zylindrische Filmspeicher (Drahtspeicher).- 3.3.3 Plated-wire-memory.- 3.3.4 Twistor-Speicher.- 3.4 Schrifttum zu Abschnitt 3.- 4. Speicherperipherie.- 4.1 Speisung der Ansteuerleitungen.- 4.1.1 Wählerkerne.- 4.1.2 Matrix erster Art.- 4.1.3 Matrix zweiter Art.- 4.1.4 Lastverteilende Matrizen.- 4.1.5 Matrix erster Art mit einem Transistor pro Leitung.- 4.1.6 Gruppenauswahl mit Dioden an einem Leitungsende.- 4.1.7 Bipolare Ströme mit Hilfe von einem Übertrager.- 4.2 Der Lesekanal.- 4.3 Zusammenfassung.- 4.4 Schrifttum zu Abschnitt 4.- 5. Halbleiterspeicher.- 5.1 Einleitung.- 5.2 Speicher mit wahlfreiem Zugriff.- 5.2.1 Statische Speicherzellen.- 5.2.1.1 Die Multiemitter-Zelle.- 5.2.1.2 Die Zelle mit Schottky-Dioden-Kopplung.- 5.2.1.3 Die statische MOS-Zelle.- 5.2.2 Dynamische Speicher.- 5.2.2.1 Dynamische 3-Transistor-Zelle.- 5.2.2.2 Dynamische 1-Transistor-Zelle.- 5.2.3 Speicherorganisation.- 5.2.4 Weiterentwicklungen.- 5.2.4.1 Statische Bipolarzelle mit „Injektionskopplung“.- 5.2.4.2 Varianten der MOS-Technik.- 5.3 Serielle Speicher.- 5.3.1 Laufzeitspeicher.- 5.3.2 Statische Schieberegister.- 5.3.3 Dynamische Schieberegister.- 5.3.3.1 Das dynamische Vierphasen-Schieberegister.- 5.3.3.2 Das dynamische Zweiphasen-Schieberegister.- 5.3.4 Die Eimerkette.- 5.3.5 Ladungsgekoppelte Schiebespeicher.- 5.4 Festwertspeicher.- 5.4.1 Irreversible Festwertspeicher.- 5.4.2 Reversible Festwertspeicher.- 5.4.2.1 Der MNOS-Transistor.- 5.4.2.2 Der FAMOS-Transistor.- 5.4.2.3 Speicher aus halbleitendem Glas.- 5.4.3 Daten für Festwertspeicher.- 5.5 Assoziative Speicher.- 5.6 Zusammenfassung.- 5.7 Schrifttum zu Abschnitt 5.- 6. Ergänzungen in Richtung Massenspeicher.- 6.1 Schrifttum zu Abschnitt 6.