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Band 16

Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente

Aus der Reihe Technische Physik in Einzeldarstellungen

39,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

15.03.2012

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

158

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1 cm

Gewicht

266 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1969

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-642-88372-9

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

15.03.2012

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

158

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1 cm

Gewicht

266 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1969

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-642-88372-9

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • 1. Einleitung.- Literatur.- 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids.- 2.1 Eigenschaften des reinen Galliumarsenids.- 2.2 Eigenschaften des dotierten Galliumarsenids.- Literatur.- 3. Galliumarsenid als Grundmaterial für elektronische Bauelemente.- 3.1 Dioden und Transistoren.- 3.2 Opto-elektronische Bauelemente.- 3.3 Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-) Bauelemente.- 3.4 Germanium-Galliumarsenid-Heterobauelemente.- Literatur.- 4. Herstellung und Prüfung des Galliumarsenid-Grundmaterials.- 4.1 Horizontale Kristallisation.- 4.2 Zugtechnik (Czochralski-Verfahren).- 4.3 Tiegelfreie Zonenschmelze.- 4.4 Epitaxie aus der Gasphase.- 4.5 Prüfung des Kristallmaterials.- Literatur.- 5. Diffusionstechnik.- 5.1 Diffusion aus der Gasphase.- 5.11 Donatordiffusion aus der Gasphase.- 5.11.1 Schwefeldiffusion.- 5.11.2 Selendiffusion.- 5.11.3 Tellurdiffusion.- 5.11.4 Zinndiffusion.- 5.12 Akzeptordiffusion aus der Gasphase.- 5.12.1 Magnesiumdiffusion.- 5.12.2 Zinkdiffusion.- 5.12.3 Cadmiumdiffusion.- 5.12.4 Mangandiffusion.- 5.2 Diffusion aus der festen Phase.- 5.21 Siliziumdiffusion.- 5.22 Berylliumdiffusion.- 5.23 Diffusion aus dotierten Siliziumdioxidschichten.- 5.23.1 Zinndiffusion aus Siliziumdioxid.- 5.23.2 Zinkdiffusion aus Siliziumdioxid.- 5.23.3 Doppeldiffusion aus Siliziumdioxid.- 5.3 Maskierung.- 5.31 Maskierung mit Siliziumdioxid.- 5.32 Andere Maskierungssubstanzen.- Literatur.- 6. Legierungstechnik.- 6.1 Epitaxie aus der flüssigen Phase.- 6.2 Ohmsche Kontakte.- Literatur.- 7. Dioden.- Literatur.- 8. Bipolare Transistoren.- 8.1 npn Transistoren.- 8.11 Doppeldiffusion aus der Gasphase.- 8.12 Diffusion aus fester Quelle und Gasphase.- 8.13 Doppeldiffusion aus fester Phase.- 8.14 Epitaxie-Diffusion.- 8.2 pnp Transistoren.- 8.21 Doppeldiffusion aus der Gasphase.- 8.22 Diffusion aus fester Quelle und Gasphase.- 8.23 Epitaxie-Diffusion.- 8.3 Vierschichtentransistoren.- Literatur.- 9. Feldeffekttransistoren.- 9.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 9.2 Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode.- 9.3 Feldeffekttransistoren mit Schottky-Kontakt.- Literatur.- 10. Opto-elektronische Bauelemente.- 10.1 Leuchtdioden.- 10.2 Injektionslaser.- Literatur.- 11. Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-)Bauelemente.- Literatur.- 12. Integrierte Bauelemente.- Literatur.