Singh, A: Optimization of Fdsoi Mosfet by using ground plane Concept of ground plane and strained silicon , design of Fdsoi Mosfet and optimization for leakage & driving current
-
- Englisch ausgewählt
49,00 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
27.07.2012
Verlag
LAP LAMBERT Academic PublishingSeitenzahl
80
Maße (L/B/H)
22/15/0,5 cm
Gewicht
124 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-659-18463-5
Continued miniaturization of bulk silicon CMOS transistors is being limited by degrading short channel effects.However, these techniques are rapidly approaching material and process limits. Alternate transistor architectures such as the planar ultra-thin body (UTB) FET and double-gate MOSFET may be necessary to continue gate length scaling down to the sub-10nm regime but these structures incorporate with complex quantum physical effects. In this work the optimization and design of advanced FD SOI MOSFET structure has been done. For the optimization, concept of strained silicon, to enhance the current driving capability, and ground plane (GP), to reduce the leakage, have been deployed.Design of conventional FD SOI MOSFET, strained FD SOI MOSFET and strained GPS/GPB FD SOI MOSFET has been made at two technology nodes, 25nm and 32 nm. Device design and simulation of the above structures has been carried out using the ATLAS framework of SILVACO TCAD Tool. By the use of GP, leakage has been reduced in the conventional FD SOI MOSFET but the down side is that drive current has also been decreased. In order to improve the drive current strained silicon has been Deployed.
Ein neues Kapitel für Ihre Bücher
Ein neues Kapitel für Ihre Bücher
Schenken Sie Ihren alten Schätzen ein zweites Leben und erhalten dafür eine Thalia Geschenkkarte.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für Ihr Feedback
Wir nutzen Ihr Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte haben Sie Verständnis, dass wir Ihnen keine Rückmeldung geben können. Falls Sie Kontakt mit uns aufnehmen möchten, können Sie sich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice