Vor Ort
Merkzettel Warenkorb
  • Produktbild: Niederdruckplasmen und Mikrostrukturtechnik
  • Produktbild: Niederdruckplasmen und Mikrostrukturtechnik

Niederdruckplasmen und Mikrostrukturtechnik

109,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.10.2012

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

543

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/3,1 cm

Gewicht

841 g

Auflage

3. Auflage 2004

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-642-62284-7

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

12.10.2012

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

543

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/3,1 cm

Gewicht

841 g

Auflage

3. Auflage 2004

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-642-62284-7

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

Ein neues Kapitel für Ihre Bücher

Ein neues Kapitel für Ihre Bücher

Schenken Sie Ihren alten Schätzen ein zweites Leben: Einfach Barcode scannen, Versandetikett ausdrucken, Bücher verschicken und Thalia Geschenkkarte erhalten.

Jetzt verkaufen
Jetzt verkaufen

Kundinnen und Kunden meinen

0 Bewertungen

Informationen zu Bewertungen

Zur Abgabe einer Bewertung ist eine Anmeldung im Konto notwendig. Die Authentizität der Bewertungen wird von uns nicht überprüft. Wir behalten uns vor, Bewertungstexte, die unseren Richtlinien widersprechen, entsprechend zu kürzen oder zu löschen.

Die Bewertungen sind nach Format, Anzahl Sterne und Datum sortiert.

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kund*innen durch Ihre Meinung

Kundinnen und Kunden meinen

0 Bewertungen filtern

Weitere Artikel finden Sie in
  • Produktbild: Niederdruckplasmen und Mikrostrukturtechnik
  • Produktbild: Niederdruckplasmen und Mikrostrukturtechnik
  • 1 Einleitung.- 2 Das Plasma.- 2.1 Gleichstrom-Glimmentladung.- 2.2 Temperaturverteilung im Plasma.- 2.3 Ladungsneutralisation im ungestörten Plasma.- 2.4 Potentialvariation im Plasma.- 2.5 Temperatur und Dichte der Elektronen.- 2.5.1 Elektronentemperatur.- 2.5.2 Elektronendichte.- 2.6 Plasmaschwingungen.- 2.7 Ôhnlichkeitsgesetze.- 3 Ladungsträger.- 3.1 Streutheorie.- 3.1.1 Der Stoßquerschnitt der elastischen Streuung.- 3.1.2 Streuquerschnitte und Mittlere Freie Weglänge.- 3.1.3 Der Stoßquerschnitt der unelastischen Streuung.- Elastische Stöße.- 3.2.1 Elastische Stöße von Elektronen mit Atomen.- 3.2.2 Elastische Stöße zwischen schweren Partikeln.- 3.3 Unelastische Stöße.- 3.3.1 Elektronenstöße.- 3.3.2 Stöße von Ionen und Photonen.- 3.3.2.1 Stöße von Ionen mit Molekülen.- 3.3.2.2 Resonanter Charge-Transfer.- 3.3.2.3 Penning-Ionisierung.- 3.3.2.1 Stöße von Photonen mit Molekülen.- 3.4 Sekundärelektronen-Erzeugung an Oberflächen.- 3.5 Verlustmechanismen.- 4 DC-Entladungen.- 4.1 Ionisierung in der Kathodenzone.- 4.1.1 Normale Entladungen.- 4.1.1.1 Townsendsche Gleichung.- 4.1.1.2 Der primäre Ionisierungskoeffizient.- 4.1.1.3 Dicke der Randschicht und sekundärer Ionisierungskoeffizient.- 4.1.1.4 Die Größen des normalen Kathodenfalls.- 4.1.2 Anomale Entladungen.- 4.1.3 Kritik an der Townsendschen Näherung.- 4.2 Negative Glühzone und Positive Säule.- 4.2.1 Ionisierung in der Negativen Glühzone.- 4.3 Anodenzone.- 4.4 Hohlkathodenentladungen.- 5 HF-Entladungen I.- 5.1 Beschreibung der Ladungsträgererzeugung.- 5.1.1 Einfluß von Druck und Feldfrequenz.- 5.1.2 Modifizierung der Diffusion.- 5.1.3 Modell für den Durchbruch.- 5.2 HF-Kopplung: Qualitative Beschreibung.- 5.3 HF-Kopplung: Quantitative Beschreibung.- 5.3.1 Reihenresonanzkreis.- 5.3.2 Parallelresonanzkreis.- 5.3.3 Gekoppelte Parallelschwingkreise.- 5.3.3.1 Trafokopplung.- 5.3.4 Kapazitive und induktive Kopplung.- 5.3.5 Duale Schaltung des kapazitiv gekoppelten Plasmas.- 5.3.5.1 1. Näherung (symmetrische Entladung).- 5.3.5.2 2. Näherung (asymmetrische Entladung).- 5.4 Abgleichsnetzwerke.- 5.4.1 Komplexe Plasmaimpedanz.- 5.4.2 übertragungslinie.- 5.4.3 Abschirmung.- 6 HF-Entladungen II.- 6.1 Elektrodenvorgänge in kapazitiv gekoppelten Plasmen.- 6.2 Feldstärken in der Randschicht bei steigender Anregungsfrequenz.- 6.3 Symmetrisches System.- 6.3.1 Potentiale der Randschichten.- 6.3.2 Leistungsaufnahme bei kapazitiver Kopplung.- 6.3.2.1 Ohmsche Aufheizung der Randschicht.- 6.3.2.2 Stochastische Aufheizung an der Randschicht.- 6.3.3 Strom-Spannungscharakteristik.- 6.4 Asymmetrisches System.- 6.5 Self-Bias der RF-Elektroden.- 6.5.1 Randschichtpotential für kapazitive Kopplung.- 6.5.2 Räumliche Verteilung der Ladungsträger.- 6.6 Streumechanismen.- 6.6.1 Experimente.- 6.6.2 Computersimulationen.- 6.6.3 Hybrides Randschichtmodell.- 6.6.3.1 Ionen.- 6.6.4 Messungen und ModelIierungen.- 6.6.4.1 IEDF in der Randschicht.- 6.6.4.2 IEDF in der Randschicht der Anregungselektrode.- 6.7 Vergleich zwischen DC- und CCP-RF-Entladungen.- 7 HF-Entladungen III.- 7.1 Hoch-Dichte-Plasmen.- 7.2 Induktiv gekoppelte Plasmen.- 7.2.1 Leistungseinspeisung bei induktiver Kopplung.- 7.3 Magnetfeld-unterstützte Anregung von Plasmen.- 7.3.1 Resümee der Eigenschaften von HF-Entladungen.- 7.4 Whistlerwellen und Systeme mit gekoppelter Resonanz.- 7.5 ECR-Quellen.- 7.5.1 Das elektrische Feld und die Diffusionslänge.- 7.5.2 Einkoppeln von Mikrowellen.- 7.5.3 Leistungseinspeisung in das ECR-Plasma.- 7.5.4 ECR-Reaktoren.- 7.6 Vergleich der Hochdichteplasma-Entladungen.- 8 Ionenstrahlsysteme.- 8.1 Plasmaquellen.- 8.1.1 Kaufman-Quelle.- 8.1.2 RF-Quellen.- 8.2 Gitteroptik.- 8.2.1 Anordnung und PotentialeinsteIlung.- 8.2.2 Design einer Gitteroptik mit RF-Quelle.- 8.3 Qualitative Betrachtung der Ionenextraktion.- 8.4 Quantitative Betrachtungen zum Ionenstrom.- 8.4.1 Zweigitter-Quelle.- 8.4.2 Dreigitter-Quelle.- 8.5 Neutralisierung.- 8.6 Prozeßoptimierung.- 8.7 Uniformität.- Plasma-Diagnostik.- 9.1 Langmuir-Sonde.- 9.1.1 Einführung.- 9.1.2 Bedingungen für den Betrieb.- 9.1.3 Kennlinie der Langmuir-Sonde.- 9.1.4 Sondenradius.- 9.1.5 Dünne Randschicht: Raumladungsbegrenzter Strom.- 9.1.5.1 Positive Ionen.- 9.1.5.2 Elektronen.- 9.1.6 Endliche Elektronentemperatur.- 9.1.6.1 Sehr dünne Randschicht.- 9.1.7 Dicke Randschicht: Orbital Motion Theorie (OML-Theorie).- 9.1.7.1 Dicke Randschicht: $$ \frac{{^{r}p}}{{{{r}_{s}}}} \to 0.$$.- 9.1.7.2 Dünne Randschicht: $$
    \frac{{^{r}p - {{r}_{s}}}}{{^{r}s}} \ll 1.
    $$.- 9.1.8 Analyse des Elektronenstroms: Elektronenanlaufzone.- 9.1.9 Plasmapotential.- 9.1.10 Inhärente Eigenschaften.- 9.1.10.1 Sondenstrom.- 9.1.10.2 Räumliche Abhängigkeit.- 9.1.10.3 Plasmapotential.- 9.1.11 Messungen.- 9.1.11.1 Bestimmung der Kennlinie.- 9.1.11.2 Elektronendichte.- 9.1.11.3 Elektronentemperatur und Plasmapotential.- 9.2 Messung von Potentialen in HF-Entladungen.- 9.2.1 Prinzip der Doppelsonde.- 9.3 Self-Excited Electron Resonance Spectroscopy (SEERS).- 9.3.1 Technische Umsetzung.- 9.3.2 Inhärente Eigenschaften.- 9.3.2.1 Bestimmung der elektronischen Plasmadichte.- 9.3.2.2 Bestimmung der Frequenz des elastischen Stoßes von Elektronen.- 9.4 Impedanzanalyse.- 9.5 Optische Emissions-Spektroskopie (OES).- 9.5.1 Temperatur der schweren Partikeln.- 9.5.2 Elektronentemperatur mit OES.- 9.5.2.1 Korona-Modell und seine Gültigkeit.- 9.5.2.2 Bestimmung der direkten elektronischen Anregung.- 9.5.2.3 Parametrisierung des Streuquerschnitts.- 9.5.2.4 Details zur Auswertung.- 9.5.2.5 Fehler bei der Anpassung von ?.- 9.5.2.6 Welche EEDF ist richtig? MB, D oder etwas Numerisches?.- 9.5.2.7 Abhängigkeit von der RF-Leistung.- 9.5.3 Grenzen der Anwendbarkeit des Korona-Modells.- 9.6 Zusammenfassung.- 10 Sputtern.- 10.1 Kinetik.- 10.1.1 Energieverteilung der abgestäubten Atome.- 10.1.2 Filmbildung.- 10.2 Sputterbedingungen.- 10.2.1 Elektrische Größen.- 10.2.2 Temperaturkontrolle des Substrates.- 10.3 Probleme der Kontamination.- 10.3.1 Kontamination durch Argon.- 10.3.2 Kontamination durch Fremdgase.- 10.3.3 Reaktives Sputtern.- 10.3.4 Beschuß mit weiteren Partikeln.- 10.4 Bias-Techniken.- 10.4.1 Einfluß auf Abscheiderate und Filmzusammensetzung.- 10.4.2 Beeinflussung weiterer Filmeigenschaften.- 10.4.3 Mechanismen des Bias-Sputterns.- 10.4.4 Gleichmäßigkeit der Kantenbedeckung an Stufen.- 10.4.5 Mechanische Spannung und Substrat-Bias.- 10.5 Deposition von Mehrkomponenten-Filmen.- 10.6 Probleme der Kohäsion.- 10.7 Sputtersysteme mit erhöhter Plasmadichte.- 10.7.1 Magnetisch verbesserte Sputtersysteme.- 10.7.2 Triodensysteme.- 10.7.3 Ionenplattiersysteme.- 10.8 Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD).- 10.8.1 Instantane Massenspektrometrie.- 10.8.2 Diamantartige Schichten.- 10.9 Ionenstrahlbeschichtung.- 11 Trockenätzverfahren.- 11.1 Sputterätzen.- 11.2 Reaktive ätzverfahren.- 11.3 Abhängigkeit von einzelnen Parametern.- 11.3.1 Substrattemperatur.- 11.3.2 Gaszusammensetzung t2.- 11.3.4 Elektrodengeometrie.- 11.3.5 Gasflußeffekte und der Loading-Effekt.- 11.3.6 Transporteffekte und Reaktordesign.- 11.4 Charakteristika des Trockenätzens.- 11.4.1 Maskenerosion.- 11.4.2 Facettierung.- 11.4.3 Metallmasken und Trilevel-Photoresist.- 11.4.4 Redeposition und Seitenwandpassivierung.- 11.4.5 Selektivität.- 11.4.6 Trenching.- 11.4.7 Shadowing.- 11.4.8 Micro-Loading (ML).- 11.4.9 Aspect-Ratio Dependent Etching (ARDE).- 11.4.10 Aufiadungseffekte.- 11.4.11 Spezielle Hochdichteplasma-Anwendungen.- 11.5 Spezielle Charakteristika des Ionenstrahlätzens.- 11.5.1 Anwendungen.- 11.5.2 Ionenstrahlunterstütztes Ôtzen: IBAE oder CAIBE.- 11.6 Damage.- 11.7 Ôtztopographie.- 11.7.1 Historischer Rückblick.- 11.7.2 Gegenüberstellung der Ôtztopographie-Mechanismen.- 11.8 Prozeßkontrolle.- 11.8.1 Ônderung der Impedanz einer Entladung.- 11.8.2 Ellipsometrie.- 11.8.3 Optische Emissionsspektroskopie (OES).- 11.8.4 Interferometrische Verfahren: Laser-Refiektometrie oder - Interferometrie (LI).- 11.8.4.1 Metalle und Dielektrika.- 11.8.4.2 Halbleiter.- 11.8.5 CCD-kontrollierte Laserinterferometrie.- 11.8.6 Massenspektrometrie (MS).- 11.8.7 Probleme des in-situ-Monitoring.- 11.8.8 Bewertung der Verfahren.- 12 Ôtzmechanismen.- 12.1 Rückblick.- 12.2 Quantitative Berechnung mit der Langmuir-Theorie.- 12.3 ...und beim Ionenätzen?.- 12.4 Simulation von Trockenätzungen.- 12.5 Ôtzverhalten von Si und seinen Verbindungen.- 12.5.1 Experimentelle Beobachtungen.- 12.5.2 Modell.- 12.5.3 Der sogenannte Bosch-Prozeß.- 12.5.4 Ôtzung von Si mit chlorhaltigen Gasen.- 12.6 Ôtzverhalten von III/V-Verbindungshalbleitern.- 12.6.1 Verwendung chlorhaItiger Ôtzgaset2]407.- 12.7 Kombination verschiedene Ôtzverfahren.- 12.8 Oberflächenreinigung.- 12.9 Anlagen-Design.- 13 Ausblick.- 14 Anhang.- 14.1 Elektronen-Energieverteilungen (EEDFs).- 14.1.1 Boltzmann-Gleichung.- 14.1.2 Ôußeres Feld als kleine Störung.- 14.1.2.1 Der Beitrag der elastischen Stöße.- 14.1.2.2 Der Beitrag der unelastischen Stöße.- 14.1.3 Näherungslösungen der Boltzmann-Gleichung.- 14.1.3.1 HF-Feld.- 14.1.3.2 Verschwindendes elektrisches Feld.- 14.1.3.3 Margenau-Verteilung.- 14.1.3.4 Druyvesteyn-Verteilung.- 14.1.4 Frequenzeffekte.- 14.2 Die Bohmsche Übergangszone.- 14.3 Plasmaschwingungen.- 14.4 Kapazitive Kopplung im RF-System.- 14.4.1 Der symmetrische Fall.- 14.4.2 Der asymmetrische Fall.- 14.5 Bewegung im magnetischen Feld.- 14.5.1 Die magnetische Flasche.- 14.5.2 Modifizierung der Diffusion.- 14.6 Cutoff und Skintiefe des E-Feldes in einer HF-Entladung.- 14.7 Eigenschaften der Whistlerwellen.- 14.7.1 Dispersionsbeziehung für ebene Wellen.- 14.7.2 Dispersionsbeziehung im zylindrischen Plasma.- 15 Verwendete Symbole und Akronyme.- 16 Bildquellennachweis.- Register.