Charaktersierung und Optimierung von (Al, Ga) N-basierten UV-Photodetektoren
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Sprache:Deutsch
49,90 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
03.03.2017
Verlag
Cuvillier VerlagSeitenzahl
196
Maße (L/B/H)
21/14,8/1,1 cm
Gewicht
261 g
Auflage
39. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-7369-9465-2
Basierend auf experimentellen und simulierten Daten front- und rückseitig bestrahlter Al0.5Ga0.5N/AlN MSM PD auf planaren Saphir-Templates wurde eine umfangreiche Studie zusammen-gestellt, in der das Schwellen- und Sättigungsverhalten der EQE dieser Bauteile auf die Polarisationsladung am AlGaN/AlN-Hetero-Übergang zurückgeführt wurde. Darauf aufbauend wurden die Einflüsse von Schichtstruktur, Elektrodengeometrie und Metallisierungsschema auf die Verringerung der nötigen Betriebsspannung untersucht und diese Optimierungsansätze so kombiniert, dass eine EQE von 24% bei 0 V erzielt werden konnte.
Darüber hinaus wurden frontseitig bestrahlte Al0.4Ga0.6N MSM PD auf epitaktisch lateral überwachsenen (ELO) AlN-Templates untersucht. Dünne AlGaN-Absorberschichten wiesen dabei eine ausgeprägte Inhomogenität der Materialzusammensetzung auf. Aufgrund der damit verbundenen internen Grenzflächen entsteht Photostromverstärkung verbunden mit erhöhten Dunkelströmen. Für dicke Absorberschichten, bei denen die Materialinhomogenität tiefer unterhalb der Elektroden vergraben ist, konnte die Erhöhung der EQE ohne Verstärkung anhand eines einfachen physkalischen Modells direkt auf die reduzierte Versetzungs-
dichte im AlGaN zurückgeführt werden.
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