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Produktbild: Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices

Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices

512,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

18.10.2017

Herausgeber

Wengang Bi + weitere

Verlag

Taylor & Francis

Seitenzahl

708

Maße (L/B/H)

26/18,3/4,2 cm

Gewicht

1632 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4987-4713-4

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Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

18.10.2017

Herausgeber

Verlag

Taylor & Francis

Seitenzahl

708

Maße (L/B/H)

26/18,3/4,2 cm

Gewicht

1632 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4987-4713-4

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  • Produktbild: Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices

  • Section I Fundamentals

    1 III-Nitride Materials and Characterization

    Bo Shen, Ning Tang, XinQiang Wang, ZhiZhong Chen, FuJun Xu, XueLin Yang, TongJun Yu, JieJun Wu, ZhiXin Qin, WeiYing Wang, YuXia Feng, and WeiKun Ge

    2 Microstructure and Polarization Properties of III-Nitride Semiconductors

    Fernando A. Ponce

    3 Optical Properties of III-Nitride Semiconductors

    Plamen P. Paskov and Bo Monemar

    4 Electronic and Transport Properties of III-Nitride Semiconductors

    Yuh-Renn Wu

    Section II Growth and Processing

    5 Growth Technology for GaN and AlN Bulk Substrates and Templates

    Michael Slomski, Lianghong Liu, John F. Muth, and Tania Paskova

    6 III-Nitride Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

    Daniel D. Koleske

    7 Molecular Beam Epitaxial Growth of III-Nitride Nanowire Heterostructures and Emerging Device Applications

    Shizhao Fan, Songrui Zhao, Faqrul A. Chowdhury, Renjie Wang, and Zetian Mi

    8 Advanced Optoelectronic Device Processing

    Fengyi Jiang

    Section III Power Electronics

    9 Principles and Properties of Nitride-Based Electronic Devices

    An-Jye Tzou, Chun-Hsun Lee, Shin-Yi Ho, Hao-Chung (Henry) Kuo, and Jian-Jang Huang

    10 Power Conversion and the Role of GaN

    Srabanti Chowdhury

    11 Recent Progress in GaN-on-Si HEMT

    Kevin J. Chen and Shu Yang

    12 Reliability in III-Nitride Devices

    Davide Bisi, Isabella Rossetto, Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso, and Enrico Zanoni

    Section IV Light Emitters

    13 Internal Quantum Efficiency for III-Nitride¿Based Blue Light-Emitting Diodes

    Zi-Hui Zhang, Yonghui Zhang, Hilmi Volkan Demir, and Xiao Wei Sun

    14 White Light-Emitting Diode: Fundamentals, Current Status, and Future Trends

    Bingfeng Fan, Yi Zhuo, and Gang Wang

    15 Current Status and Trends for Green Light-Emitting Diodes

    Junxi Wang, Zhe Liu, and Ning Zhang

    16 Ultraviolet Light-Emitting Diodes: Challenges and Countermeasures

    Jun Hyuk Park, Jong Won Lee, Dong Yeong Kim, and Jong Kyu Kim

    17 InGaN/GaN Quantum Dot Visible Lasers

    Thomas Frost, Guan-Lin Su, John Dallesasse, and Pallab Bhattacharya

    18 GaN-Based Surface-Emitting Lasers

    Kuo-Bin Hong, Shen-Che Huang, Yu-Hsun Chou, and Tien-Chang Lu

    Section V Emerging Applications

    19 III¿V Nitride-Based Photodetection

    Chien-Chung Lin, Lung-Hsing Hsu, Yu-Ling Tsai, Hao-Chung (Henry) Kuo, Wei-Chih Lai, and Jinn-Kong Sheu

    20 Intersubband Optoelectronics Using III-Nitride Semiconductors

    Caroline B. Lim, Akhil Ajay, Jonas Lahnemann, David A. Browne, and Eva Monroy

    21 Lighting Communications

    Yu-Chieh Chi, Dan-Hua Hsieh, Hao-Chung (Henry) Kuo, Sujie Nakamura,Steve Denbaars, and Gong-Ru Lin

    22 III-Nitride Semiconductor Single Photon Sources

    Pei-Cheng Ku, Chu-Hsiang Teng, and Hui Deng