Beschreibung
Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
Family Sharing
Ja
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
25.08.2014
Verlag
Cuvillier Verlag eBooksSeitenzahl
170 (Printausgabe)
Dateigröße
3129 KB
Sprache
Deutsch
EAN
9783736947870
Die Dotierung der Nanodrähte im Vapor–Liquid–Solid–Wachstumsmodus (kurz VLS), welcher in dieser Arbeit zum Einsatz kommt, ist eine große Herausforderung auf dem Weg zur Realisierung von optoelektronischen Nanodraht–basierten Bauelementen. In der vorliegenden Arbeit ist es gelungen, sowohl p– als auch n–Dotierung der GaAs–Nanodrähte im VLS–Modus mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie erfolgreich zu realisieren.
Auf Basis erfolgreicher p– und n–Dotierung werden in dieser Dissertation GaAs–Nanodraht–pn–Übergänge in axiale und radiale Wachstumsrichtung entwickelt. Die realisierten Nanodraht–Dioden demonstrieren eine starke Elektrolumineszenz im nahen Infrarot. Darüber hinaus entfalten sie eine ausgeprägte photovoltaische Funktionalität. Unter Standardbeleuchtung zeigen die axialen und radialen Nanodraht–pn–Dioden einen effektiven photovoltaischen Wirkungsgrad von 9 % bzw. 4,7 %, was deren Einsatz in der Photosensorik und Photovoltaik ermöglicht.
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