Hybrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von Aluminiumgalliumnitrid
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Sprache:Deutsch
26,60 €
inkl. gesetzl. MwSt.Beschreibung
Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
Family Sharing
Ja
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
20.05.2015
Verlag
Cuvillier Verlag eBooksSeitenzahl
176 (Printausgabe)
Dateigröße
6842 KB
Sprache
Deutsch
EAN
9783736949850
Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.
Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.
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