Produktbild: Fundamentals of Power Semiconductor Devices
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Fundamentals of Power Semiconductor Devices

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Beschreibung

Produktdetails

Verkaufsrang

22124

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

14.02.2019

Abbildungen

XXXII, 1086 p. 838 illus., 559 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

1086

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/5,6 cm

Gewicht

1891 g

Auflage

Second Edition 2019

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-030-06765-6

Beschreibung

Produktdetails

Verkaufsrang

22124

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

14.02.2019

Abbildungen

XXXII, 1086 p. 838 illus., 559 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

1086

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/5,6 cm

Gewicht

1891 g

Auflage

Second Edition 2019

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-030-06765-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: GPSR Kontakt

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  • Introduction.- Material Properties and Transport Physics.- Breakdown Voltage.- Schottky Rectifiers.- P-i-N Rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar Junction Transistors.- Thyristors.- Insulated Gate Bipolar Thyristors.- Synopsis.