Développement, conception et analyse d'un nanosystème hétéro-contraint de type II Analyse d'un nanosystème hétéro-déformé de type II. DE
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
13.01.2026
Verlag
Editions Notre SavoirSeitenzahl
132
Maße (L/B/H)
22/15/0,9 cm
Gewicht
215 g
Sprache
Französisch
ISBN
978-620-9-42896-8
Ce livre étudie l'avancement et l'analyse des transistors à effet de champ cylindriques à canal déformé (CGAA). L'étude explore une conception à l'échelle nanométrique incorporant trois couches déformées ultrafines : deux couches extérieures de silicium déformé (s-Si) et une couche intermédiaire de silicium germanium déformé (s-SiGe), formant une hétérostructure sur isolant (HOI) au sein du FET CGAA. Ces couches déformées dans le canal confinent efficacement les porteurs quantiques, améliorant ainsi la mobilité des porteurs et réduisant l'abaissement de la tension de seuil.
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