Entwicklung, Design und Analyse von Typ-II-Nanosystemen mit Hetero-Spannung Analyse von Typ-II-Nanosystemen mit Hetero-Spannung
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68,90 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
13.01.2026
Verlag
Verlag Unser WissenSeitenzahl
132
Maße (L/B/H)
22/15/0,9 cm
Gewicht
215 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-620-9-42384-0
Dieses Buch befasst sich mit der Weiterentwicklung und Analyse von zylindrischen FETs mit verspanntem Kanal und zylindrischem Gate (CGAA - cylindrical gate-all-around). Die Studie untersucht ein Design im Nanomaßstab, das drei ultradünne verspannte Schichten enthält: zwei äußere Schichten aus verspanntem Silizium (s-Si) und eine mittlere Schicht aus verspanntem Silizium-Germanium (s-SiGe), die eine Heterostruktur auf einem Isolator (HOI) innerhalb des CGAA-FETs bilden. Diese verspannten Schichten im Kanal schränken Quantenladungsträger wirksam ein, wodurch die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht und der Schwellenspannungsabfall verringert wird.
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