Produktbild: Fundamentals of Power Semiconductor Devices
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Fundamentals of Power Semiconductor Devices

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

05.09.2008

Abbildungen

Literaturverz.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

1069

Maße (B/H)

15,5/23,5 cm

Gewicht

3740 g

Auflage

2008

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-387-47313-0

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Erscheinungsdatum

05.09.2008

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Springer Us

Seitenzahl

1069

Maße (B/H)

15,5/23,5 cm

Gewicht

3740 g

Auflage

2008

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-387-47313-0

Herstelleradresse

Springer Heidelberg
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE
buchhandel-buch@springer.com

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  • Introduction.- Material properties and transport physics.- Breakdown voltage.- Schottky rectifiers.- P-i-N rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar junction transistors.- Thyristors.- Insulated gate bipolar transistors.- Synopsis.