Analog IC Reliability in Nanometer CMOS
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Sprache:Englisch
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inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
09.01.2013
Abbildungen
XVI, 198 p.
Verlag
Springer UsSeitenzahl
198
Maße (L/B/H)
24,1/16/1,5 cm
Gewicht
442 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-1-4614-6162-3
This book focuses on modeling, simulation and analysis of analog circuit aging. First, all important nanometer CMOS physical effects resulting in circuit unreliability are reviewed. Then, transistor aging compact models for circuit simulation are discussed and several methods for efficient circuit reliability simulation are explained and compared. Ultimately, the impact of transistor aging on analog circuits is studied. Aging-resilient and aging-immune circuits are identified and the impact of technology scaling is discussed.
The models and simulation techniques described in the book are intended as an aid for device engineers, circuit designers and the EDA community to understand and to mitigate the impact of aging effects on nanometer CMOS ICs.
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