Semiconductor Power Devices Volume 2: Packaging, Thermal aspects, Reliability and Ruggedness
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Sprache:Englisch
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Verlag:Springer
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Auflage:Third Edition 2026
187,99 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
06.10.2026
Abbildungen
XII, 361 p. 304 illus., 170 illus. in color.
Verlag
SpringerSeitenzahl
361
Maße (L/B)
23,5/15,5 cm
Auflage
Third Edition 2026
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-032-23488-9
This new edition of the book Semiconductor Power Devices is now divided into two volumes. Volume 2 focuses on Packaging, Cooling, Reliability, and Advanced Design Aspects of Power Devices. Readers will find in-depth coverage of packaging technologies, including conventional and advanced concepts for Si, SiC, and GaN devices, thermal simulation methods, and parasitic electrical elements in power modules. The book explores cooling strategies from air to liquid and double-sided cooling, followed by comprehensive chapters on reliability testing, failure mechanisms, and lifetime prediction models. It also addresses destructive phenomena such as thermal breakdown, surge currents, overvoltage, and short-circuit behavior, along with cosmic ray failures and their mitigation. Additional chapters discuss electromagnetic disturbances, oscillations, and the integration of power electronic systems, making this volume an essential resource for engineers and researchers working on robust and efficient power device design.
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