Semiconductor Power Devices Volume 1: Physics, Technology and Design of Power Devices
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Sprache:Englisch
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Verlag:Springer
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Auflage:Third Edition 2026
336,99 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
21.09.2026
Abbildungen
XVIII, 565 p. 324 illus., 97 illus. in color.
Verlag
SpringerSeitenzahl
565
Maße (L/B)
23,5/15,5 cm
Auflage
Third Edition 2026
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-032-15695-2
This new edition of the book Semiconductor Power Devices is now divided into two volumes. This first volume focuses on the Physics, Technology, and Design of Power Devices. It provides a comprehensive explanation of the physical principles essential for understanding modern power devices. The complementation of the classical pn-theory regarding high-injection behavior and the description of emitters by H. Schlangenotto is now rounded off, displayed in newly written Sections. For IGBTs, new structures with strong carrier confinement are added. New are special chapters on SiC devices and GaN devices. In the SiC chapter, the bipolar mode of the MOSFET body diode and its reverse recovery is discussed for the first time.
The edition provides extended content offering significant updates compared to previous editions.
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