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Halbleitertechnologie

Aus der Reihe Teubner Studienskripte Technik
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Beschreibung

Produktdetails

Zustand

Gut

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.01.1981

Abbildungen

mit 38 Abbildungen

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

135

Maße (L/B/H)

20,3/12,7/0,8 cm

Gewicht

159 g

Auflage

2. überarbeitete Auflage 1981

Sprache

Deutsch

EAN

2710004655660

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Gut

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.01.1981

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mit 38 Abbildungen

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Vieweg & Teubner

Seitenzahl

135

Maße (L/B/H)

20,3/12,7/0,8 cm

Gewicht

159 g

Auflage

2. überarbeitete Auflage 1981

Sprache

Deutsch

EAN

2710004655660

Herstelleradresse

Vieweg+Teubner Verlag
Abraham-Lincoln-Straße 46
65189 Wiesbaden
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • 1. Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid.- 1.1. Silizium.- 1.1.1. Rohherstellung von Si.- 1.1.2. Chemische Vorreinigung von Si.- 1.1.3. Zersetzung der Si-Verbindungen.- 1.2. Galliumarsenid (GaAs).- 1.2.1. Reinigung der Ausgangsmaterialien.- 1.2.2. Synthese und Kristallisation.- 2. Reinigung beim Erstarren einer Schmelze.- 2.1. Phasendiagramme binärer Systeme.- 2.2. Einfache Erstarrung.- 2.3. Zonenerstarrung.- 2.4. Ausführungsformen des Zonenschmelzens.- 2.4.1. Germanium.- 2.4.2. Silizium.- 2.4.3. Galliumarsenid.- 3. Methoden der Einkristall-Herstellung.- 3.1. Wachstum aus der Schmelze.- 3.1.1. Ziehen aus der Schmelze.- 3.1.1.1. Tiegelziehen (Czochralski-Verfahren).- 3.1.1.2. Tiegelfreies Zonenziehen.- 3.1.1.3. Herstellung von versetzungsfreien Halbleitern.- 3.1.1.4. Dotierung.- 3.2. Wachstum aus der Lösung.- 3.2.1. GaAs-Epitaxie aus der flüssigen Phase.- 3.3. Wachstum aus der Gasphase.- 3.3.1. Silizium-Epitaxie aus der Gasphase.- 3.3.2. GaAs-Epitaxie aus der Gasphase (Effer).- 3.3.3. Molekularstrahl-Epitaxie.- 4. Kristallbearbeitung.- 4.1. Sägen.- 4.1.1. Kreissägen.- 4.1.2. Drahtsägen.- 4.2. Oberflächenbehandlung.- 4.2.1. Schleifen.- 4.2.2. Läppen.- 4.2.3. Mechanisches Polieren.- 4.2.4. Reinigung.- 4.2.4.1. Reinigung von Si.- 4.2.4.2. Reinigung von GaAs.- 4.2.5. Ätzen.- 4.2.5.1. Politurätzen.- 4.2.5.2. Strukturätzen.- 5. Herstellung von pn-Übergängen und Leitfähigkeitsprofilen.- 5.1. Übersicht.- 5.2. Legierungsverfahren.- 5.3. Diffusionsverfahren.- 5.3.1. Diffusionstheorie.- 5.3.2. Diffusionskonstante.- 5.3.3. Diffusionsanordnungen.- 5.3.4. Abweichungen von der einfachen Diffusionstheorie.- 5.3.4.1. Zweidimensionale Diffusion.- 5.3.4.2. Feldunterstützte Diffusion.- 5.3.4.3. Einfluß mechanischer Spannungen im Gitter auf die Diffusion (“emitterpush”-Effekt).- 5.4. Epitaxieverfahren.- 5.5. Ionenimplantation.- 5.6. Charakterisierung von Übergängen und Profilen.- 5.6.1. Bestimmung der Lage des Überganges.- 5.6.2. Auswertung der Profile.- 5.6.2.1. Rechnerische Methode beim pn-Übergang.- 5.6.2.2. Radioaktive Methode.- 5.6.2.3. Vierspitzen-Methode.- 5.6.2.4. Kapazitäts-Methode.- 5.6.3. Beispiele für Profile.- 5.6.3.1. pn-Übergänge.- 5.6.3.2. Lawinenlaufzeit-Diode.- 5.6.3.3. Doppeldiffundierter npn-Transistor.- 5.6.3.4 Gunn-Element.- 6. Planartechnologie.- 6.1. Übersicht.- 6.2. Herstellung von Isolatorschichten.- 6.2.1. Herstellung von SiO2-Schichten.- 6.2.1.1. Thermische Oxydation von Si.- 6.2.1.2. TEOS-Verfahren.- 6.2.2. Herstellung von Si3N4-Schichten.- 6.2.3. Herstellung von Al2O3-Schichten.- 6.3. Ätzung der Isolatorschichten.- 6.4. Photolack-Technik.- 6.4.1. Photolack-Prozeß.- 6.4.2. Photomasken-Herstellung.- 6.5. Ausbeute bei integrierten Schaltungen.- 7. Kontakte, Montage und Kontaktierung.- 7.1. Ohmsche und sperrende Metall-Halbleiter — und Halbleiter-Halbleiter-Übergänge.- 7.2. Kontakte auf Silizium.- 7.2.1. Ohmsche Kontakte.- 7.2.2. Sperrende Kontakte.- 7.3. Kontakte auf GaAs.- 7.3.1. Ohmsche Kontakte.- 7.3.2. Sperrende Kontakte.- 7.4. Montage und Kontaktierung.- 7.4.1. Montage.- 7.4.2. Kontaktierung.- 7.4.2.1. Schneidenkontaktierung.- 7.4.2.2. Nagelkonfknntaktierung.- 8. Fertigungsbeispiele.- 8.1. Planartransistor.- 8.2. Feldeffekt-Transistoren (FET).- 8.2.1. Sperrschicht-FET (JFET).- 8.2.2. MESFET.- 8.2.3. MOSFET.- 8.3. Widerstände.- 8.3.1. Dünnfilm-Widerstände.- 8.3.2. Diffundierte Widerstände.- 8.4. Kondensatoren.- 8.4.1. Dünnfilm-Kondensatoren.- 8.4.2. Verarmungsschicht-Kondensatoren.- 9. Anhang.- 9.1. Zusammenstellung wichtiger physikalischer Daten einiger Halbleiter.- 9.2. Kristallstruktur.- 9.3. Störstellenniveaus in Si und GaAs.- 9.4. Einige Eigenschaften von pn-Übergängen.- 9.5. Lawinendurchbruch am pn-Übergang.- 9.6 Physikalische Konstanten.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.