Gasphasenepitaxie und Eigenschaften von nicht- und semipolaren GaN
31,99 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Paperback
Erscheinungsdatum
19.05.2011
Verlag
Cuvillier, ESeitenzahl
188
Maße (L/B/H)
21/14,8/1,1 cm
Gewicht
251 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-86955-757-1
Die vorliegende Arbeit behandelt das Wachstum sogenannter semi- und nichtpolarer Galliumnitridschichten. Diese werden mittels metallorganischer (MOVPE) und Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) abgeschieden. Es wird unter anderem eine neu entwickelte Methode vorgestellt, wie semipolares Galliumnitrid verschiedenster Orientierung auf strukturierten Saphirsubstraten epitaxiert werden kann. Dieser Ansatz kombiniert den Vorteil eines günstigen Substrates mit der Möglichkeit einer planaren Abscheidung, sowie einem reduzierten piezoelektrischen Feld in den aktiven Zonen der späteren Bauelemente. Dadurch wird eine theoretisch deutlich höhere Effizienz der LEDs ermöglicht.
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