Gasphasenepitaxie und Eigenschaften von nicht- und semipolaren GaN
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Form:Einzelkauf Download
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Sprache:Deutsch
21,74 €
inkl. gesetzl. MwSt.Beschreibung
Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
Family Sharing
Ja
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
19.05.2011
Verlag
Cuvillier Verlag eBooksSeitenzahl
188 (Printausgabe)
Dateigröße
12830 KB
Sprache
Deutsch
EAN
9783736937574
Die vorliegende Arbeit behandelt das Wachstum sogenannter semi- und nichtpolarer Galliumnitridschichten. Diese werden mittels metallorganischer (MOVPE) und Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) abgeschieden. Es wird unter anderem eine neu entwickelte Methode vorgestellt, wie semipolares Galliumnitrid verschiedenster Orientierung auf strukturierten Saphirsubstraten epitaxiert werden kann. Dieser Ansatz kombiniert den Vorteil eines günstigen Substrates mit der Möglichkeit einer planaren Abscheidung, sowie einem reduzierten piezoelektrischen Feld in den aktiven Zonen der späteren Bauelemente. Dadurch wird eine theoretisch deutlich höhere Effizienz der LEDs ermöglicht.
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