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  • Produktbild: Hot Carrier Design Considerations for MOS Devices and Circuits
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Hot Carrier Design Considerations for MOS Devices and Circuits

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92,99 € UVP 106,99 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

02.06.2012

Abbildungen

XVI, 334 p. 60 illus.

Herausgeber

Cheng Wang

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

334

Maße (L/B/H)

22,9/15,2/2 cm

Gewicht

516 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1992

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4684-8549-3

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

02.06.2012

Abbildungen

XVI, 334 p. 60 illus.

Herausgeber

Cheng Wang

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

334

Maße (L/B/H)

22,9/15,2/2 cm

Gewicht

516 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1992

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4684-8549-3

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Hot Carrier Design Considerations for MOS Devices and Circuits
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  • 1 The Mechanisms of Hot Carrier Degradation.- 1.1 Introduction.- 1.2 Injection of Channel Hot Carriers in MOSFETs.- 1.3 Characterization Techniques.- 1.4 Charge Trapping and Dit-Generation Under Uniform Hot-Carrier Injection in MOSFETs.- 1.5 Charge Trapping and Dit-Generation Under Nonuniform Hot-Carrier Injection in MOSFETs.- 1.6 Conclusions.- 1.7 Acknowledgments.- References.- 2 Hot-Carrier Degradation Effects for DRAM Circuits.- 2.1 Introduction.- 2.2 Hot-Carrier Degradation in MOSFETs.- 2.3 Hot Carrier Impact on Circuit Operation.- 2.4 Circuit Hot-Electron Effect Simulation.- 2.5 ESD Latent Damage and Hot-Electron Reliability.- 2.6 Future Issues.- 2.7 Conclusions.- 2.8 Acknowledgments.- References.- 3 Hot Carrier Design Considerations in MOS Nonvolatile Memories.- 3.1 Introduction.- 3.2 Hot Carriers and EPROM.- 3.3 Hot Carriers and Flash Memory.- 3.4 Hot Carriers and Floating-Gate-Type EEPROMs.- 3.5 Hot Carriers and MNOS-Type EEPROMs.- 3.6 Conclusions.- 3.7 Acknowledgments.- References.- 4 Hot-Carrier Degradation During Dynamic Stress.- 4.1 The Problem of AC Hot-Carrier Degradation.- 4.2 Discussion of Transient Effects.- 4.3 Dynamic Degradation in Circuits.- 4.4 Conclusions.- References.- Appendices.- Appendix I On the Mathematical Formalism of the Hot-Carrier Currents in Semiconductor DevicesCheng T. Wang.- A1.1 Introduction.- A1.2 Mathematical Formalism.- A1.3 Conclusion.- References.- Appendix II Non-Local Field Effects on Carrier Transport in Ultra-Small-Size Devices Cheng T. Wang.- A2.1 Introduction.- A2.3 Drift Velocity as a Function of Distance.- A2.4 A Comparative Study of Field Effect on Drift Velocity.- A2.5 Conclusion.- A2.6 Acknowledgments.- References.