New Developments in Semiconductor Physics Proceedings of the International Summer School Held in Szeged, Hungary, July 1 – 6, 1979
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- Englisch ausgewählt
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Auflage:1980
49,99 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
01.05.1980
Abbildungen
V, 283 p. 5 illus.
Herausgeber
F. Beleznay + weitereVerlag
Springer BerlinSeitenzahl
283
Maße (L/B/H)
24,4/17/1,6 cm
Gewicht
508 g
Auflage
1980
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-540-09988-8
Low temperature photo- and magneto-transport involving impurity-phonon resonances in semiconductors.- Optically detected magnetic resonance studies of semiconductors.- Deep level spectroscopy in semicounductors by optical excitation.- Depleted layer spectroscopy.- Luminescence of chromium in gallium arsenide.- Analysis of defect states by transient capacitance methods in proton bombarded gallium arsenide at 300 K and 77 K.- Properties of an extended defect in GaAs.62P.38.- Large defect-lattice relaxation phenomena in solids.- Temperature dependent decay of a metastable state of systems with large impurity-lattice relaxation (CdF2 : In).- Electron-phonon interaction: Polaron transport.- Stress dependence of quantum limit hall effect and transverse magnetoresistance in n-InSb.- Photoluminescence in amorphous semiconductors.- Man-made semiconductor superlattices.- The localized states of interfaces and their physical models.- Cyclic cluster model (CCM) in the CNDO approximation for deep levels in covalent solids.- Is there a minimum linewidth in integrated circuits?.
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